商品名稱:汽車 MOSFET
數(shù)據(jù)手冊(cè):IAUA180N04S5N012.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PG-HSOF-5
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:50000 件
IAUA180N04S5N012 40V N通道汽車用MOSFET符合汽車應(yīng)用類AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)。該MOSFET的應(yīng)用非常廣泛,包括EPS電機(jī)控制、3相和H橋電機(jī)、HVAC風(fēng)扇控制,以及與PWM控制相結(jié)合的電動(dòng)泵。
sTOLL 具有 250 A 的高電流能力,占地面積僅為 56 mm2,比 DPAK(65 mm2)還要小。與英飛凌領(lǐng)先的 OptiMOS?-5 40 V 功率 MOS 技術(shù)相結(jié)合,sTOLL 可提供同類最佳的功率密度和功率效率,并達(dá)到英飛凌眾所周知的堅(jiān)固汽車封裝質(zhì)量水平。
產(chǎn)品規(guī)格
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: HSOF-5
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V
Id-連續(xù)漏極電流: 180 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 1.4 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.4 V
Qg-柵極電荷: 75 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 125 W
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降時(shí)間: 10 ns
濕度敏感性: Yes
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 5 ns
工廠包裝數(shù)量: 2000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 19 ns
典型接通延遲時(shí)間: 9 ns
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IGW75N65H5
IGW75N65H5器件是一款采用新型TRENCHSTOP?5 IGBT 技術(shù)的絕緣柵雙極晶體管(IGBT),在硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用中提供無(wú)與倫比的高效性能。具有以下優(yōu)勢(shì)和技術(shù)規(guī)格:產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)具有出色的效率,降低結(jié)溫和外殼溫度,從而提高設(shè)備可靠性母線電壓可提升50V,同時(shí)不影響可靠性更高的功率密度設(shè)…IGD08N120S7
IGD08N120S7是一款采用TO-252 封裝的1200 V,8 A 硬開(kāi)關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt 可控范圍應(yīng)用領(lǐng)域IGD08…IGB15N120S7
IGB15N120S7器件是一款采用TO-263 封裝的1200 V,15 A 硬開(kāi)關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。技術(shù)參數(shù)IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):34 A電流 - 集…IGB08N120S7
IGB08N120S7是一款采用TO-263 封裝的1200 V,8 A 硬開(kāi)關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。其特征和技術(shù)規(guī)格如下:特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt…IGB03N120S7
IGB03N120S7絕緣柵雙極晶體管(IGBT)具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。該器件具有以下優(yōu)勢(shì)和技術(shù)規(guī)格:IGB03N120S7的優(yōu)勢(shì)面向高電壓輔助電源的緊湊設(shè)計(jì)降低電磁干擾技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最…電話咨詢:86-755-83294757
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