IGW75N65H5器件是一款采用新型TRENCHSTOP?5 IGBT 技術的絕緣柵雙極晶體管(IGBT),在硬開關應用中提供無與倫比的高效性能。具有以下優(yōu)勢和技術規(guī)格:
產品優(yōu)勢
具有出色的效率,降低結溫和外殼溫度,從而提高設備可靠性
母線電壓可提升50V,同時不影響可靠性
更高的功率密度設計
技術規(guī)格
IGBT 類型:溝道
電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):120 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm):300 A
不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,75A
功率 - 最大值:395 W
開關能量:2.25mJ(導通),950μJ(關斷)
輸入類型:標準
柵極電荷:160 nC
25°C 時 Td(開/關)值:28ns/174ns
測試條件:400V,75A,8 歐姆,15V
工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-247-3
應用領域
IGW75N65H5適用于各種需要高效、低損耗的電力電子設備,特別是在家用電器、工業(yè)控制、汽車電子等領域有廣泛應用?。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
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IGB15N120S7器件是一款采用TO-263 封裝的1200 V,15 A 硬開關TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應用中實現(xiàn)超低導通損耗。技術參數(shù)IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):34 A電流 - 集…IGB08N120S7
IGB08N120S7是一款采用TO-263 封裝的1200 V,8 A 硬開關TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應用中實現(xiàn)超低導通損耗。其特征和技術規(guī)格如下:特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt…IGB03N120S7
IGB03N120S7絕緣柵雙極晶體管(IGBT)具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應用中實現(xiàn)超低導通損耗。該器件具有以下優(yōu)勢和技術規(guī)格:IGB03N120S7的優(yōu)勢面向高電壓輔助電源的緊湊設計降低電磁干擾技術規(guī)格IGBT 類型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最…IKW50N65ES5
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