IKW50N65ES5絕緣柵雙極晶體管(IGBT)適合開關頻率在 10 kHz 到 40 kHz 之間的應用,可實現(xiàn)高效率和更快的產(chǎn)品上市周期,降低電路設計復雜性并優(yōu)化 PCB 物料清單成本。該產(chǎn)品具有以下優(yōu)勢和技術參數(shù):
IKW50N65ES5的優(yōu)勢
不需要 VCEpeak 箝位電路
不需要柵極箝位元件
出色的 EMI 行為
非常適合并聯(lián)
技術參數(shù)
IGBT 類型:溝道
電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):80 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm):200 A
不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值):1.7V @ 15V,50A
功率 - 最大值:274 W
開關能量:1.23mJ(導通),550μJ(關斷)
輸入類型:標準
柵極電荷:120 nC
25°C 時 Td(開/關)值:20ns/127ns
測試條件:400V,50A,8.2 歐姆,15V
反向恢復時間 (trr):70 ns
工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-247-3
此外,IKW50N65ES5適用于需要高效率和快速開關頻率的應用場景,如工業(yè)加熱和焊接、不間斷電源(UPS)等?。由于其高效能和可靠性,該器件在工業(yè)和電力電子設備中有著廣泛的應用前景。
型號
品牌
封裝
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描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要,在這些應用中,價格/性能、實時響應性、計算能…IGW75N65H5
IGW75N65H5器件是一款采用新型TRENCHSTOP?5 IGBT 技術的絕緣柵雙極晶體管(IGBT),在硬開關應用中提供無與倫比的高效性能。具有以下優(yōu)勢和技術規(guī)格:產(chǎn)品優(yōu)勢具有出色的效率,降低結溫和外殼溫度,從而提高設備可靠性母線電壓可提升50V,同時不影響可靠性更高的功率密度設…IGD08N120S7
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IGB15N120S7器件是一款采用TO-263 封裝的1200 V,15 A 硬開關TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應用中實現(xiàn)超低導通損耗。技術參數(shù)IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):34 A電流 - 集…IGB08N120S7
IGB08N120S7是一款采用TO-263 封裝的1200 V,8 A 硬開關TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應用中實現(xiàn)超低導通損耗。其特征和技術規(guī)格如下:特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt…IGB03N120S7
IGB03N120S7絕緣柵雙極晶體管(IGBT)具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應用中實現(xiàn)超低導通損耗。該器件具有以下優(yōu)勢和技術規(guī)格:IGB03N120S7的優(yōu)勢面向高電壓輔助電源的緊湊設計降低電磁干擾技術規(guī)格IGBT 類型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最…電話咨詢:86-755-83294757
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