商品名稱:NXH35C120L2C2ESG
數(shù)據(jù)手冊:NXH35C120L2C2ESG.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:26-DIP
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
NXH35C120L2C2ESG DIP-26 1200V傳輸模壓功率集成模塊 (TMPIM) 是采用轉(zhuǎn)換器-逆變器-制動 (CIB) 和轉(zhuǎn)換器-逆變器 (CI) 配置的IGBT功率模塊。該模塊包含六個(gè)1.2kV IGBT、六個(gè)1.6kV整流器和一個(gè)用于系統(tǒng)級溫度監(jiān)控的NTC熱敏電阻器。CIB型號還具有一個(gè)額外的1.2kV IGBT和一個(gè)二極管,可通過其零件編號來識別,其末尾為“SG”。此器件的傳輸模壓封裝延長了循環(huán)壽命(溫度和功率)。
產(chǎn)品規(guī)格:
IGBT 類型:-
配置:三相反相器,帶制動器
電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):35 A
功率 - 最大值:20 mW
不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,35A
電流 - 集電極截止(最大值):250 μA
不同 Vce 時(shí)輸入電容 (Cies):8.333 nF @ 20 V
輸入:三相橋式整流器
NTC 熱敏電阻:是
工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:通孔
封裝/外殼:26-PowerDIP 模塊(1,199",47,20mm)
供應(yīng)商器件封裝:26-DIP
基本產(chǎn)品編號:NXH35
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時(shí)電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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