商品名稱:N-通道功率MOSFET
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:PG-TO263-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:5000 件
IPB60R360P7 是一款 600V,CoolMOS ? P7 超結 MOSFET 晶體管,兼具高能效和易用性,產品詳情如下所示:
型號:IPB60R360P7
封裝:PG-TO263-3
類型:N-通道功率MOSFET
應用:適用于智能電視的完整系統(tǒng)解決方案
產品屬性:
系列:CoolMOS? P7
FET 類型:N 通道
技術:MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):600 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):9A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):360 毫歐 @ 2.7A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4V @ 140μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):13 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):555 pF @ 400 V
功率耗散(最大值):41W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應商器件封裝:PG-TO263-3
封裝/外殼:TO-263-3,D2PAK(2 引線 + 凸片),TO-263AB
IPB60R360P7 產品特性:
CoolMOS ? 7 系列
低柵極電荷
COSS中的低存儲能量
集成柵極電阻
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IMCQ120R007M2H CoolSiC? MOSFET 離散型 1200 V,7 mΩ G2,采用頂部散熱 Q-DPAK 封裝,專為工業(yè)應用的廣泛使用而設計。Q-DPAK封裝解決方案為客戶提供卓越的熱性能、更簡便的裝配流程及降低系統(tǒng)成本。頂部散熱Q-DPAK單開關器件正引領冷卻技術、能效、設計靈活性及性能的…電話咨詢:86-755-83294757
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