商品名稱:N-通道功率MOSFET
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:PG-TO263-3
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:5000 件
【IPB133N12NM6】120V,OptiMOS ? 6 功率 MOSFET 晶體管,正常電平,采用 D2PAK 3 引腳封裝。
說(shuō)明:
IPB133N12NM6 是 D2PAK 3 針?lè)庋b的正常級(jí)別 120 V MOSFET,導(dǎo)通電阻為 13.3 mOhm。IPB133N12NM6 是英飛凌 OptiMOS ? 6 功率 MOSFET 系列的一部分。
IPB133N12NM6 規(guī)格參數(shù):
ID (@25°C) 最大值:55 A
QG (typ @10V) :15 nC
RDS (on) (@10V) 最大值:13.3 mΩ
VDS 最大值:120 V
VGS(th):3.1 V
封裝:D2PAK (TO-263)
工作溫度:-55 °C 至 175 °C
IPB133N12NM6 產(chǎn)品特性:
與 OptiMOS ?相比,該技術(shù)特點(diǎn)如下:
RDS(on) 提高高達(dá) 40%
FOMg
Qrr 提高高達(dá) 50%
IPB133N12NM6 產(chǎn)品優(yōu)勢(shì):
極低的導(dǎo)通電阻
極低的反向恢復(fù)電荷
出色的柵極電荷 x RDS(on)
高雪崩能量額定值
175°C 結(jié)溫額定值
無(wú)鉛電鍍
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IMCQ120R007M2H CoolSiC? MOSFET 離散型 1200 V,7 mΩ G2,采用頂部散熱 Q-DPAK 封裝,專為工業(yè)應(yīng)用的廣泛使用而設(shè)計(jì)。Q-DPAK封裝解決方案為客戶提供卓越的熱性能、更簡(jiǎn)便的裝配流程及降低系統(tǒng)成本。頂部散熱Q-DPAK單開(kāi)關(guān)器件正引領(lǐng)冷卻技術(shù)、能效、設(shè)計(jì)靈活性及性能的…IMCQ120R017M2H
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