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A1P35S12M3采用六組拓撲結構，采用帶 NTC 的 ACEPACK? 1 封裝、集成了意法半導體先進的溝槽柵極場截止技術。這種新型 IGBT 技術在傳導損耗和開關損耗之間實現(xiàn)了最佳折衷，最大限度地降低了開關損耗。導通損耗和開關損耗之間的最佳折衷，最大限度地提高了任何轉換器系統(tǒng)的效率，最高可達 20 kHz。A1P35S12M3采用DBC 銅 Al2O3 銅，六組拓撲結構，1200 V、35 A IGBT 和二極管，軟快速恢復二極管，集成 NTC。

產(chǎn)品屬性

IGBT 類型：溝槽型場截止

配置：三相反相器

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：35 A

功率 - 最大值：250 W

不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）：2.45V @ 15V，35A

電流 - 集電極截止（最大值）：100 μA

不同 Vce 時輸入電容 (Cies)：2.154 nF @ 25 V

輸入：標準

NTC 熱敏電阻：是

工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：底座安裝

封裝/外殼：模塊

供應商器件封裝：ACEPACK? 1

應用

? 變頻器

? 工業(yè)

? 電機驅動

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