商品名稱：IPT014N10N5
數(shù)據(jù)手冊：
IPT014N10N5.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封裝：8-PowerSFN
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
IPT014N10N5 是英飛凌的 OptiMOS? 5 功率 MOSFET，1.4 mOhm，100 V，采用 TO-Leadless (TOLL) 封裝，具有 362 A 的高電流能力（ID @25?C）。采用 TOLL 封裝的 OptiMOS? 5 功率 MOSFET 面向電動工具、輕型電動汽車和電池管理系統(tǒng)。
特征描述
最高電流能力 >360 A
輸出電容降低達 44
極低的封裝寄生和電感
優(yōu)勢
所需并聯(lián)和冷卻更少
最高的系統(tǒng)可靠性
降低系統(tǒng)成本
實現(xiàn)非常緊湊的設(shè)計
潛在應(yīng)用
電動工具
低壓驅(qū)動
輕型電動汽車
電池管理系統(tǒng)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。
答：我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。
答：目前我們自營代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一線品牌，其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要，我們可以針對具體品牌型號來溝通確認。
答：可以通過網(wǎng)站上詢價，也可以通過電話以及郵箱咨詢。
答：大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期，您可根據(jù)貨期估計商品的發(fā)貨時間，具體到貨時間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。
答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團的半導(dǎo)體部門，于1999年獨立，2000年上市。其中文名稱為億恒科技，2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司，為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器，具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要，在這些應(yīng)用中，價格/性能、實時響應(yīng)性、計算能…
ISC037N12NM6
ISC037N12NM6 是 SuperSO8 封裝的普通級 120 V MOSFET晶體管，導(dǎo)通電阻為 3.7 mOhm。ISC037N12NM6 是英飛凌 OptiMOS ? 6 功率 MOSFET 系列的一部分。ISC037N12NM6 產(chǎn)品屬性：系列：OptiMOS? 6FET 類型：N 通道技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：120 V25C 時…
ISC032N12LM6
ISC032N12LM6（N-通道功率MOSFET）：120V，OptiMOS ? 6 功率 MOSFET 晶體管，采用 SuperSO8 封裝。產(chǎn)品詳情：型號：ISC032N12LM6封裝：PG-TDSON-8類型：N-通道功率 MOSFET 晶體管說明：ISC032N12LM6 是 SuperSO8 封裝中的邏輯電平 120 V MOSFET，導(dǎo)通電阻為 3.2 mOhm。I…
IPB026N10NF2S
IPB026N10NF2S 是一款100V，StrongIRFET ? 2 單 N溝道功率 MOSFET晶體管，采用 DPAK 封裝，產(chǎn)品詳情如下所示：型號：IPB026N10NF2S封裝：PG-TO263-3（DPAK）類型：N-通道功率MOSFET應(yīng)用：適用于輕型電動車解決方案規(guī)格參數(shù)：產(chǎn)品種類: MOSFET 技術(shù): Si 安裝風(fēng)格: SMD/SM…
S25HS02GTDZBHM053
S25HS02GTDZBHM053是專為汽車應(yīng)用設(shè)計的SEMPER? NOR閃存系列產(chǎn)品。該器件具備2 Gbits存儲密度和Quad SPI接口，提供高達80 MByte/s的高帶寬。工作電壓為1.8V，支持SDR模式下133 MHz及DDR模式下80 MHz的接口頻率。此符合ISO 26262標(biāo)準(zhǔn)的器件采用英飛凌創(chuàng)新的45納米MIRRORB…
S70FL01GSDSBHMC13
S70FL01GSDSBHMC13是一款1Gbit 3V 80MHz NOR閃存。S70FL01GSDSBHMC13 規(guī)格參數(shù)存儲器類型：非易失性存儲器格式：閃存技術(shù)類型：閃存 - NOR存儲容量：1Gbit存儲器組織：128M x 8存儲器接口：SPI - 四通道I/O時鐘頻率：80 MHz電壓 - 供電：2.7V ~ 3.6V工作溫度：-40C ~ 125…電話咨詢：86-755-83294757
企業(yè)QQ：1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
服務(wù)時間：9:00-18:00
聯(lián)系郵箱：chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址：廣東省深圳市福田區(qū)振中路新亞洲國利大廈1239-1241室
CopyRight?2022 版權(quán)歸明佳達電子公司所有 粵ICP備05062024號-12
官方二維碼
友情鏈接:
